過(guò)壓保護(hù)

　　晶閘管的過(guò)電壓能力極差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過(guò)晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會(huì)引起晶閘管硬開(kāi)通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開(kāi)通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過(guò)電壓保護(hù)措施用以抑制晶閘管上可能出現(xiàn)的過(guò)電壓。模塊的過(guò)壓保護(hù)推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。

　　(1)阻容吸收回路

　　晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí)，和開(kāi)關(guān)電路一樣，因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過(guò)程中，正向電壓下降到零時(shí)，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流.使積蓄載流子迅速消失，這時(shí)反向電流消失的極快.即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L (di/dt)值仍很大.這個(gè)電勢(shì)與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓，稱為關(guān)斷過(guò)電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5-6倍，所以必須采取抑制措施。

　　阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開(kāi)通損耗與電流上升率。這種吸收回路能抑制晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子.即引線要短。最好采用無(wú)感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。

　　接線方法如圖：

　　三相整流模塊 單相整流模塊

　　三相交流模塊 單相交流模塊

　　(2)壓敏電阻吸收過(guò)電壓

　　壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA)，是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30%的余量計(jì)算。

　　V1mA≥1.3√2·U

　　式中 U——壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。接線方法如圖：

　　三相模塊 單相模塊